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如何進行雙層（céng）床的再生操作?行雙（shuāng）層床的再生操作?

雙層床的再生操（cāo）作有氣壓法、水壓法及（jí）低流速法三種，與固定床逆流再生法相似，但操作控製終點有所不同（tóng）。下麵為氣壓法操作步驟。

(1)小反洗操作當運行（háng）至樹脂失效之後，先從中排管道進水進行小反洗以（yǐ）鬆（sōng）動樹脂層，清除（chú）上層（céng）樹脂汙物及中排管的滌綸網(或塑料網)上的懸浮物和碎樹脂，清洗至出水清（qīng）淨為止。

(2)放水操（cāo）作停止小反洗後，開中排管閥，放水至（zhì）中排管不（bú）出水為止。

(3)頂壓操作 進氣，維持（chí）壓力穩（wěn）定在39.2~49.0kPa

(0.4~0.5kgf/cm²)。

(4)再生操作再生劑用HC1時（shí），含量（liàng）2.5%、流速控製在5m/h;如用HzSO4時，先用含量0.8%，後用2%，流速控製在5m/h;如用NaOH時，先是含量10%~15%。流速控製6m/h;後用含量2%~3%，流速控製3m/h，時間要lh。

(5)置換操作置換流速與（yǔ）再生時相（xiàng）同，對於陽雙層床:置換到酸度小（xiǎo）於10mmol/L，硬度小於5mmol/L;對於陰雙層床:控製

流速3~5m/h，直至電導率小於100pS/cm，堿（jiǎn）度c(B)小於50μmol/L。

(6)正洗操作終點控製:對於陽（yáng）雙層床Na+<100μg/L，硬度為0，酸度<0.2mmol/L;對陰（yīn）雙層床:SiO2<100μg/L，電導（dǎo）率（lǜ）<10μS/cm。

(7)運行操作（zuò）

陽雙層（céng）床出水的Na+<500μg/L，或陰雙層床

出水電導率<10μS/cm、SiO₂≤100μg/L。

(8)雙層床的反洗分層操作陽雙層床運行10周期左右，陰雙層床運行20周（zhōu）期左右，要進行大反洗一（yī）次。大反洗初期，強弱兩種樹脂發生（shēng）混合，經過30min左右反洗之後，可以見到良好的分（fèn）層，然後停（tíng）止（zhǐ）大反洗操作，讓（ràng）樹脂（zhī）沉降（jiàng）下來，分層就更加明顯了。

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