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如何進行雙層床的再生操作?行雙層床的再生操作?

雙層床的再（zài）生操作（zuò）有氣壓法（fǎ）、水壓法及低流速法三種，與固定（dìng）床逆流再生（shēng）法相似，但操作控製終點有所不同。下麵為氣壓（yā）法操作步驟。

(1)小反洗操作當運行至樹脂失效之後，先從中排管道進水進行小反洗以鬆動樹脂（zhī）層，清除上（shàng）層（céng）樹脂汙物及中排管的（de）滌（dí）綸（lún）網(或（huò）塑料網)上的懸浮物和碎樹脂，清洗至出水清淨為止。

(2)放水操作停止小反洗後，開中排管閥，放水至中排管不出水為止。

(3)頂（dǐng）壓操作 進氣，維持壓力（lì）穩定在39.2~49.0kPa

(0.4~0.5kgf/cm²)。

(4)再生操作再生劑用HC1時，含量2.5%、流速控製在5m/h;如用HzSO4時，先用含量（liàng）0.8%，後用2%，流速控製在5m/h;如用（yòng）NaOH時，先（xiān）是含量（liàng）10%~15%。流速控製6m/h;後用含量（liàng）2%~3%，流速控製3m/h，時間要lh。

(5)置換操作置換流速與再生時相同，對於陽雙層（céng）床:置換到酸度小於10mmol/L，硬度小於5mmol/L;對於陰雙層床:控製

流速（sù）3~5m/h，直至電導率小於100pS/cm，堿度c(B)小於50μmol/L。

(6)正洗操作終點控製:對於陽雙層床Na+<100μg/L，硬度為0，酸度<0.2mmol/L;對陰雙（shuāng）層床:SiO2<100μg/L，電（diàn）導率<10μS/cm。

(7)運行操作

陽雙層（céng）床出水的Na+<500μg/L，或陰雙層床

出水電導（dǎo）率<10μS/cm、SiO₂≤100μg/L。

(8)雙層床的反洗分層操作陽雙層床運行10周期左右，陰雙層床運行20周期左右，要進（jìn）行大反洗一次。大反洗初期，強弱兩種（zhǒng）樹（shù）脂發生混合，經過30min左右反（fǎn）洗之後，可以（yǐ）見到良好的分層，然後停止大反洗操作，讓樹脂（zhī）沉降下來，分層（céng）就更加明顯了。

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