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如何進行雙層床的再生操作?

雙層床的再生操作有氣壓法、水壓法及低流速法三種，與固定床逆（nì）流再生法相似，但操作控製終點有所不同。下麵為氣壓法操（cāo）作步驟。

(1)小反（fǎn）洗操作當運行（háng）至樹脂失效之後，先從中排管道進水進行小（xiǎo）反洗以（yǐ）鬆動（dòng）樹脂層，清除上層樹（shù）脂汙物及中排（pái）管的滌綸網（wǎng）(或塑料（liào）網（wǎng）)上的懸浮物和碎樹脂，清洗至出水清淨為止。

(2)放水操作停止小反洗後，開中排管閥，放水至中排管不出水為止。

(3)頂（dǐng）壓操作 進氣，維持壓力穩定在39.2~49.0kPa

(0.4~0.5kgf/cm²)。

(4)再生操作再生劑（jì）用HC1時，含量2.5%、流速控製在（zài）5m/h;如用HzSO4時，先（xiān）用含量0.8%，後用2%，流速控（kòng）製在5m/h;如用NaOH時，先（xiān）是含量10%~15%。流速控製6m/h;後用含量2%~3%，流速控製（zhì）3m/h，時間要lh。

(5)置換操（cāo）作置換流速與（yǔ）再生時相同，對於陽雙層床:置換到酸（suān）度（dù）小於10mmol/L，硬度小於（yú）5mmol/L;對於陰雙層床:控製（zhì）

流速3~5m/h，直至電導率小於（yú）100pS/cm，堿度c(B)小於50μmol/L。

(6)正洗操作終點控製:對於陽雙層（céng）床Na+<100μg/L，硬度（dù）為0，酸度<0.2mmol/L;對陰雙層床:SiO2<100μg/L，電導率<10μS/cm。

(7)運行操作

陽雙層（céng）床出水的Na+<500μg/L，或陰雙層床

出水電導（dǎo）率<10μS/cm、SiO₂≤100μg/L。

(8) 雙層床的反洗分層操作陽雙層床運行10周期左右，陰雙層床運行20周期左右，要進行大反洗一（yī）次。大反洗初期，強弱兩種樹脂發生（shēng）混合，經過30min左右反洗之後，可（kě）以見到良好的（de）分層，然後停止大反（fǎn）洗操作，讓樹脂沉降（jiàng）下來，分層就更加明顯了（le）。

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